產品詳情
本系列產品為單室PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）設備，采用平板電極射頻耦合方式。可以用于沉積SI3N4，SIO2，非晶硅，P、I、N結等。
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設備版本 |
A |
B |
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真空室 |
單沉積室Φ300×350，手動上開蓋結構 |
單沉積室Φ400×350，手動上開蓋結構 |
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極限真空 |
3 ×10-5Pa |
9×10-6Pa |
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真空獲得 |
分子泵+機械泵 |
分子泵+機械泵 |
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樣品尺寸 |
≤Φ60mm |
≤100×100mm |
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特氣運輸 |
三路流量控制+VCR氣路 |
三路~多路進口，國產流量控制。 |
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壓力控制 |
手動控制 |
進口蝶閥+進口薄膜規。控制范圍0~10torr. |
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樣品架溫度 |
室溫~350℃，溫度均勻性:±1℃. |
室溫~900℃，溫度均勻性:±1℃. |
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沉積距離 |
基片到噴淋氣盒2~6cm連續可調整。 |
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噴淋方式 |
由下向上噴淋方式。 |
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氣盒面積 |
≤Φ80mm |
≤100mm×100mm |
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控制方式 |
手動 |
PLC+觸摸屏，或PC機上位控制 |
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尾氣吸收阱 |
無 |
吸收未完全反應氣體。 |
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特氣柜 |
安裝流量計，壓力控制器，氣動電磁閥，氣動截止閥，單向閥。按鈕控制。 |
安裝流量計，壓力控制器，氣動電磁閥，氣動截止閥，單向閥。手動控制，泄露報警。觸摸屏或PC控制 |
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